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溶膠凝膠法制備Sm摻雜鐵酸鉍(001)外延薄膜介紹

文章來源 : 齊岳生物

作者:zhn

發布時間 : 2022-08-23 12:41:44

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產品名稱:溶膠凝膠法制備Sm摻雜鐵酸鉍(001)外延薄膜介紹

產品描述:

溶膠凝膠法制備Sm摻雜鐵酸鉍(001)外延薄膜介紹 西安齊岳生物科技有限公司提供或者國產的薄膜,尺寸可定制;基底以及外延的薄膜;品質高。同時提供二維材料;石墨烯、氮化硼、二硫化鉬、CVD生長的薄膜、晶體、異質結、薄膜(藍寶石、PET、銅膜、石英、云母、銀膜、SOI基底、Si玻璃基底)等材料。 溶膠凝膠法制備Sm摻雜鐵酸鉍(001)外延薄膜 由于通過摻雜能取得較高的壓電性能,室溫多鐵材料鐵酸鉍BiFeO3近來被越來越多作為有潛力的無鉛壓電材料而被應用。通過溶膠凝膠法在(001)單晶摻鈮鈦酸鍶SrTiO3襯底上制備了摻雜12%Sm的BiFeO3外延薄膜。通過倒易空間圖和透射電鏡確認了外延性。透射電鏡也確認了R3c和Pbam相在該薄膜中的共存。通過壓電力顯微鏡測試了薄膜從室溫到200℃的疇結構和壓電響應的變化。在110℃到170℃,疇變得活躍,疇結構發生改變。 ? 利用脈沖激光沉積(PLD)方法在LaAlO3單晶襯底上外延生長BiFeO3,得到了菱方四方的(R-T)MPB。用壓電響應力顯微鏡(PFM)觀察到,由于四方相和菱方相的共存,材料的壓電響應有了的。類似地,Takeuchi等人在BiFeO3的A位引入了Sm、Gd和Dy等鑭系元素,從而發現了一個菱方正交的(R-O)MPB。假設隨著摻雜量的增加,稀土元素半徑變小將導致壓電反鐵電順電相變。MPB位于反鐵電-順電相界面。 這些工作也是基于利用PLD制備的外延薄膜和人們對稀土摻雜的BFO的興趣中激發而來的。硅襯底上多晶薄膜和摻釤的BFO塊體陶瓷的壓電響應也得到了。然而,至今還沒有直接觀察到這些材料的反鐵電行為。 ? 在研究中,作者們制備了12%Sm摻雜的BiFeO3外延薄膜。采用溶膠-凝膠法在摻鈮的SrTiO3(001)襯底上制備薄膜。該成分對應于室溫下相結構的MPB,預計在高溫下會發生變化。為了研究該材料的性能,在室溫至200℃范圍內觀察到鐵電疇,用PFM方法局部表征了鐵電疇隨溫度的變化。除了對相位結構的觀察外,還利用switching spectroscopy PFM(ss-pfm)研究了溫度在納米尺度下對壓電響應的影響。SS-PFM顯示了鐵電向反鐵電相的相變。另外,在相邊界處發現了的壓電響應。 圖1(a)顯示了樣品的表面形貌,發現的晶界。圖1(b)顯示了12%Sm摻雜BiFeO3薄膜的XRD圖譜。薄膜和襯底的(001)衍射峰清晰可見,其它衍射峰在對數坐標下幾乎看不到。用同步輻射X射線進一步進行了RSM。HL空間中的(002)模式和HK空間中的(113)模式分別如圖1(c)和(d)所示。XRD和RSM分析表明薄膜具有的外延性能。從RSM譜圖出發,計算了12%Sm摻雜BiFeO3樣品的晶格參數:apc?= bpc=3.906?, cpc=3.958?。由于其外延性質,a和b值與襯底SrTiO3(3.905?)接近。在外延BiFeO3薄膜中,(113)模式沿面內(IP)方向的色散表明晶格有程度的松弛,這在外延BiFeO3薄膜中是常見的現象。隨著薄膜厚度的增加,晶格失配引起的壓縮應力逐漸減弱。由于夾持效應,摻雜樣品的c值比襯底大得多,而Sm3+相對于Bi3+的半徑較小,則比BiFeO3薄膜的c值小得多。 ? 高分辨透射電鏡在薄膜-基底界面上對樣品的橫截面進行了成像,并顯示了其外延結構,如圖2(a)所示。圖2(b)示出了樣品的橫截面圖像。從這幅圖像中可以確定薄膜厚度約為140nm,樣品內部沒有檢測到晶界。圖2(c)-(e)示出了在圖2(b)所示的某些區域上進行的SAED結果。清晰的衍射圖了薄膜的外延性。襯底Nb:SrTiO3表現出的立方相,如圖2(c)所示。有趣的是,在薄膜中發現了兩種衍射模式。藍色表示的區域具有R3c對稱性,與BiFeO3相同。用紅色表示的區域顯示了1/4(011)和1/2(011)點,表明從R3c到類似PbO3相的晶格畸變,Sm或其他稀土摻雜的BiFeO3體系中也觀察到了這種模式。這兩個相的共存表明它們在這種成分中是穩定的,并且可以很容易地相互轉換。值得一提的是,我們同時制備了14%Sm的摻雜薄膜,并且具有較高的分辨率。 ? 西安齊岳生物提供的其他定制薄膜有哪些? 硅片上的金剛石氮化鋁薄膜 Si上鍍Al薄膜(Aluminum?Film?on?Silicon?Wafer) Si-Al復合薄膜 Si片外延AIN薄膜?(Si+AlN dia4"): Si襯底上AlN外延薄膜 Si+SiO2+Cr+Au薄膜: (Au,Si)/SiO2復合納米顆粒薄膜 Si/SiO2/Cr/Au復合薄膜 AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜 Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜N型不摻雜 Nb:SrTiO3+Ba1-xSrxTiO3薄膜 Ba1-xTiO3型薄膜? 400nm 摻鈮SrTiO3基片 400nm單面拋光薄膜 Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜 Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜 10x10 x 0.5 mm SrTiO3襯底上BiFeO3薄膜 Nb∶SrTiO3單晶基片上外延生長BaTiO3薄膜 Fe3O4/BiFeO3復合薄膜 Si+SiO2+Ta+Cu薄膜 Si/SiO2/Ta/Cu薄膜 Cu/Ta/SiO2/Si薄膜 Si襯底上Ta-N/Cu薄膜 Si+SiO2+Ti+Au薄膜 Si/SiO2/Cr/Au/Ti 襯底薄膜 鍍金硅片鍍鉑硅片ptPt/Ti/SiO2/Si Si+GaN薄膜: 別稱:Si 晶圓外延 Gan 薄膜 (si + Gan 薄膜) Si襯底上GaN薄膜 Si基GaN薄膜 Si+Cu薄膜: 多孔Si/Cu復合薄膜 Si上鍍Cu薄膜 Si基上電沉積Cu薄膜 YSZ+CeO2薄膜 30-50nm CeO2/YSZ復合薄膜 30-50nm CeO2/YSZ薄膜 Si+BN薄膜 Si/BN硅基氮化硼薄膜 單層氮化硼薄膜Si基底 CAS號7440-42-8 Si摻雜的c-BN薄膜 Si上的Cu外延膜 SiBN復合薄膜 FTO膜 Glass+FTO薄膜 玻璃板上涂氟氧化錫(FTO) 鍺(GOI)薄膜 體上鍺(GOI)薄膜 薄Si過渡層制備體上Ge(GOI)材料 GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜 GaAs (半)(100)晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜 GaAs/AlGaAs/GaAs薄膜 GaAs/AIGaAs壓阻薄膜 GaN系列薄膜 氮化鎵GaN/藍寶石復合襯底上蒸鍍金屬鎳(Ni)薄膜 GaN 薄膜基片 GaN外延薄膜 Ga2O3-?膜 AL2O3+Ga2O3-?薄膜 Ga2O3-?晶體 2英寸?- Ga2O3單晶襯底 Ga2O3-Al膜 Si上鍍Ge薄膜0.5-2um 生長Si—Ge薄膜10x10mm Si基改性Ge薄膜 硅基底石墨烯膜1cm*1cm 硅基底石墨烯膜5cm*5cm 雙層石墨烯膜2cm*2cm 康寧7980玻璃上鍍ITO膜10x10x0.7mm 康寧7980上鍍ito膜(ito film on corning 7980) InP上鍍InAlAs薄膜? 摻Fe半型材料 300nm 在InP襯底上生長InAlAs/InGaAs等異質結構 InP襯底上InAlAs薄膜 InP襯底上生長InAlAs薄膜 InAlAs-InGaAs-InP InP上鍍InGaAs薄膜 半型材料 GaAs InGaP薄膜 GaAs襯底InGaP薄膜 金屬襯底InGaP/GaAs雙結薄膜 InGaP/GaAs/InGaAs三結薄膜 InGaP/GaAs微結構材料 GaAs襯底成功制備了InGaP外延薄膜 InGaP/GaAs異質結 ITO+ZnO鈉鈣玻璃 ITO/ZnO復合材料 納米ZnO/ITO導電玻璃復合材料 ITO= 100nm,ZnO= 50nm ITO導電玻璃襯底上沉積出透明致密ZnO薄膜 La0.7Sr0.3MnO3 + Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3復合材料 La0.7Sr0.3MnO3 + PbZr(x)Ti(1-x)O3復合材料 SrMoO4薄膜 SrMoO4薄膜(400nm)光致發光薄膜 SiO2+Pt 薄膜 SiO2∶Pt薄膜 二氧化硅/鉑復合薄膜SiO2/Pt 二氧化硅負載鉑復合薄膜催化材料 Si+SiO2+Ti+Pt薄膜 Pt/Ti/SiO2/Si基片鍍PZT膜 Pt/Ti/SiO2/Si襯底的寬波段薄膜 Pt/Ti/Si3N4/SiO2/Si基底的多層薄膜 鈣鈦礦型稀土復合氧化物LaFeO3膜 鈣鈦礦型鐵酸鑭LaFeO3薄膜 Ni襯底上的LaFeO3薄膜 LaFeO3納米晶薄膜 LaNiO3導電薄膜 Si基底LaNiO3導電薄膜10x10x0.5mm Si基LaNiO3導電薄膜 Si/LaNiO3 以上資料來西安齊岳生物小編zhn2020.12.14,以上資料來自文獻 ? 相關目錄: ZnO-離子液體功能化的石墨烯量子點的定 Si襯底上Ge薄膜的制備過程(低溫-高溫

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主營產品:COF、MOF單體系列:三蝶烯衍生物、金剛烷衍生物、四苯甲烷衍生物、peg、上轉換、石墨烯、光電材料、點擊化學、凝集素、載玻片、蛋白質交聯劑、脂質體、蛋白、多肽、氨基酸、糖化學等。

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